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    LED的技術發展

    2019/5/8 10:23:24 次瀏覽

    2007年,美國的CREE公司在SiC襯底上生長雙異質結,制作的器材同樣很超卓,SiC襯底可以把LED的金屬電極制作在襯底的底部,電流能夠通過低阻導電襯底的筆直流動,也為開展其它光電子器材奠定了基礎。

    同年,日亞化學發布了下一代高功率白光LED,350mA電流輸入時光通量為1451m,發光功率為1341m/W。完成白色LED高功率化的原因是完成了所用的藍色LED芯片的高功率化。該藍色LED在350mA驅動時的光功率為651mW,波長為444nm,外部量子功率為66. 5%,WPE為60.3%。

    LED

    同年,日亞投產發光功率達1501m/W的白色LED。該LED的功率代表當時業界的最高水平。順向電流為20mA的種類為1001m/W。

    2009年初,CREE宣告完成了1611m /W的光效,色溫為4689K。該LED規范測驗條件是在室溫條件,驅動電流為350mA的情況下進行的。

    2009年末,CREE宣告其白光大功率LED光效已完成1861m/W,CREE的測驗成果表明,當相關色溫在4577K時,LED可產生1971m的光輸出。該測驗是在室溫條件下,驅動電流為350mA的規范測驗環境下進行的。

    2009年初,依據日亞的實驗室成果,LED發光功率在20mA的情況下提高到每瓦2491m,不過在一般LED產業常用的350mA電流情況下,發光功率卻降低到1451m/W,引發業界重視。

    2011年,歐司朗研制工程師通過全面改進與LED制作相關的所有技能,在實驗室測驗中,新研制的白光LED刷新了該公司亮度和發光功率的紀錄。在工作電流為350mA的規范條件下,LED亮度最高可以到達1551m,而發光功率更是高達1361m/W。白光LED原型采用的是1m㎡芯片,所發射的光線色溫為5000K,色度坐標為0.349/0.393 (Cx/Cy)。

    2012年,CREE公司宣告其白光LED光效突破231lm/W,該公司使用了一個單模塊組件,在色溫4500K、規范測驗室溫度350mA下,測得白光LED光效達2311m/W。

    目前LED的各項目標仍在不斷開展傍邊,跟著應用領域和標識行業的拓展,對LED燈珠的要求也逐步多樣化。一起,技能的進步不單單體現在參數目標上,在成本上也在逐年下降。

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